英特爾3D晶體 - 墨爾定律立方化

英特爾表示它已經準備把第一個3D電晶體結構導入大量生產。

英特爾將這個結構命名為Tri-Gate,它將首度使用在22奈米製程的晶片製造之中,該晶片代號為Ivy Bridge。

英特爾的資深員工Mark Bohr表示,除非出現了重大變革,否則要繼續遵循著莫爾定律可能會很困難。



Bohr指出,新技術並不是在平面上進行引導,而是在3面的3D「邊(fin)」上進行。它的關鍵優勢正是來自於圍繞於邊上的閘道(gate)。

新的結構可讓英特爾製造更小、更快且更低電壓的晶片,並將它們置入到更小的裝置之中。

除了較低電壓之外,這些晶片的漏電率也較低,它將有助於提升效能與省電。這些22奈米製程的晶片將會比英特爾目前的32奈米製程晶片提升37%的功率。


Tri-Gate電晶體將會使每一片晶圓的成本提升2%至3%。為了搭配新技術,英特爾將從今年起至2012年升級它的晶圓廠。

英特爾研發Tri-Gate電晶體已經有十年的時間。Bohr表示,儘管這個結構在業界廣為人知,但該公司認為他們的技術至少比競爭對手領先三年以上。

第一批Ivy Bridge的產品將會以用戶端與伺服器產品為主,英特爾的架構部門執行副總兼總經理Dadi Perlmutter展示了配備Ivy Bridge晶片的一台筆電與一台PC,並且強調它們的速度特點。這些晶片未來還將打入到平板電腦、智慧型手機與內嵌裝置之中。



資料來源:ZDNet Taiwan
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